Главная / Каталог импорт / Электронные компоненты / Силовая электроника: IGBT, тиристоры, драйверы / 1DI150GE-100
Силовой модуль IGBT Fuji Electric 1DI150GE-100 IGBT Module
от 25 200 ₽
Открыть карточку и выбрать предложение →
Характеристики
| Артикул | 1DI150GE-100 |
| Состояние | Новое |
| Гарантия | площадки, от 3 месяцев |
Предложения продавцов
| Продавец | Состояние | Склад | Рейтинг | Цена |
|---|---|---|---|---|
| Продавец №28127 | Новое | США | 99.6 % | 25 200 ₽ |
| Продавец №22820 | Новое | США | 99.5 % | 25 200 ₽ |
Описание
Партномер 1DI150GE-100, состояние — новое, в заводской упаковке. Сейчас на позицию собрано 2 предложения поставщиков со складов США; цена от 25 200 ₽.
1DI150GE-100 — силовой модуль IGBT. Позиция каталога B2Bay, раздел «Электронные компоненты».
Описания лотов от продавцов
Лот продавца №22820 · Новое · 25 200 ₽
Модуль IGBT. Транзисторный модуль FUJI ELECTRIC, артикул 1DI150GE-100, для продажи онлайн. Характеристики транзистора: 150A - 1000V. FUJI ELECTRIC 1DI150GE-100. FUJI ELECTRIC 1DI150GE-100.
Лот продавца №28127 · Новое · 25 200 ₽
Модуль IGBT. Транзисторный модуль FUJI ELECTRIC, артикул 1DI150GE-100, для продажи онлайн. Характеристики транзистора: 150A - 1000V. FUJI ELECTRIC 1DI150GE-100. FUJI ELECTRIC 1DI150GE-100.
Другие позиции раздела «Электронные компоненты»
Силовой модуль IGBT 1DI200Z-100
Силовой модуль IGBT 1DI500A-030
Разъём Harting 1HC-BU-S-M12
Разъём Harting 1HC-STI-AX
Силовой модуль IGBT 1MBI1600VC-170E
Силовой модуль IGBT 1MBI200SA-120B-52
Микросхема Analog Devices DIP-24
Разъём Harting 09330162726
Разъём Harting 09305160541
Электронный компонент 0010-70271
Микросхема SN74S30N
Разъём Turck 4.5T-6-WS