
| Артикул | M393B1K73CHD-YF8 |
| Бренд | Samsung |
| Память | DDR3 |
| Ёмкость | 8 GB |
| Состояние | Б/у, проверено |
| Гарантия | площадки, от 3 месяцев |
| Продавец | Состояние | Склад | Рейтинг | Цена |
|---|---|---|---|---|
| Продавец №84539 | Восстановленное | Германия | 99.3 % | 6 800 ₽ |
| Продавец №70928 | Б/у, проверено | США | 100.0 % | 5 300 ₽ |
| Продавец №80011 | Б/у, проверено | США | 100.0 % | 11 000 ₽ |
| Продавец №25507 | Новое | США | 99.8 % | 15 500 ₽ |
| Продавец №85186 | Б/у, проверено | США | 99.1 % | 18 400 ₽ |
| Продавец №80847 | Б/у, проверено | США | 99.7 % | 18 400 ₽ |
Партномер M393B1K73CHD-YF8, бренд Samsung, состояние — б/у, проверяется на стенде перед отправкой. Сейчас на позицию собрано 6 предложений поставщиков со складов Германии и США; цены от 5 300 до 18 400 ₽. В заголовке лота указано: память — DDR3, ёмкость — 8 GB.
Samsung M393B1K73CHD-YF8 — модуль памяти, память DDR3, ёмкость 8 GB. Раздел каталога «Комплектующие серверов».
Серверная оперативная память (RAM) — регистровые модули с коррекцией ошибок: RDIMM и LRDIMM стандарта DDR4/DDR5. ECC исправляет одиночные битовые ошибки, повышая надёжность. Память ставят одинаковыми модулями по каналам, чтобы задействовать многоканальный режим. Максимальные частота и объём зависят от процессора и платформы.
4 x Samsung 8GB 4Rx8 PC3L-8500R RDIMM модуля. Подходит для ИТ-специалистов, специалистов по восстановлению оборудования и системных интеграторов, этот RAM хорошо подходит для устаревших корпоративных платформ, требующих стабильных модулей DDR3L RDIMM.
| Память | 4 × 8 ГБ |
Samsung 32GB 4x8GB 1066MHz DDR3 PC3-8500R 4Rx8 1.35V Server RAM M393B1K73CHD-YF8 Бренд: Samsung Номер детали: 4WYKPMPN: 4WYKP, 04WYKP Модель: M393B1K73CHD-YF8 Тип: серверная оперативная память RAM Объём памяти: 8 GB Тип памяти: DDR3 Скорость: 1066 MHz ECC: Registered Форм-фактор: RDIMM Задержка CAS: CL07 Напряжение: 1.35V Ранг: 4Rx8 Шина: PC3L-8500R
| Память | 4 × 8 ГБ |
| Напряжение | 35 В |
Модель: M393B1K73CHD-YF8. Охлаждение: радиатор. Система памяти: Quad-Rank. Напряжение (V): 1,35. Задержка: 7. Цикл времени: 1,87 нс.
| Память | 8 ГБ |